１　はじめに
　2SBタイプのトランジスタは1,700種以上開発されています。(2020年9月現在)　手元のトランジスタをご紹介します。下表の数値は原則としてメーカー発表の1次資料からとしました。

２　2SBタイプ

2SB47,2SB54,2SB56 　東京芝浦電気

2SB47：低周波低雑音用のトランジスタです。あまり見かけないと思います。旧形式名は2S47です。 2SB54：6石AMラジオの低周波増幅用の定番でした。旧形式名は2S54です。下記でVCERの条件はRBE＝10kΩ。 2SB56：6石AMラジオの低周波電力増幅用の定番でした。旧形式名は2S56です。下記でVCERの条件はRBE＝5kΩ。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES *VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBX,*ICBO 最大値

直流又は小信号hFE

バイアス

fab *fT (MHz)

Cob (pF)

*rbb(Ω) CCrbb' (pS)

(μA)

VCB(V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IE (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB47(1962)

東芝

AF.LN

Ge.A

-25

-12

-50

80

75

*14

-25

60/120/250 /140/

-1.5 -6

0.5 1

12A TO-1 TC-1 TB-1A 2-6

2SB54(1962) 2SB54(1971) 2SB54(1975)

東芝

AF.

Ge.A

-25 -30 -30

*-20 *-20

-12 -12 -12

-50 -150 -150

80 150 150

75

*14 *14 *14

-30 -30 -30

80/140/300 80/140/300 80/140/300

-6 -6 -6

1 1 1

-6 -6 -6

1 1 1

/1/ */1/ */1/

/35/ /35/ /35/

*120 *120 *120

2SB56(1962) 2SB56(1975)

東芝

AF.PA

Ge.A

-25 -30

-25

-12 -12

-50 -150

150 150

75

*14 *14

-25 -30

45/80/125 /80/

-1 -1

IC=-50 IC=-50

-6 -6

1 1

/1/ */1/

/35/ /35/

*120

2SB49,2SB52 　SONY
2SB49：低周波用のトランジスタで、旧形式名は2T31です。hFEの小さいほうから順に2SB48、2SB49、2SB50と新形式番号が割り当てられました。 2SB52：低周波電力増幅用のトランジスタで、旧形式名は2T32です。hFEの小さいほうから順に2SB51、2SB52と新形式番号が割り当てられました。 下記でVCER(V)の条件の抵抗値は不明です。それから、ケースはベース端子につながっています。この時代のGeトランジスタはこのような接続が多いです。
型名 Type	社名 Mnf.	用途 Application	構造 Material and structure	最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)						電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)										外形 Package No.
				VCBO (V)	VCER (V)	VEBO (V)	IC (mA)	PC (mW)	Tj (ﾟC)	ICBO最大値		直流又はパルスhFE			バイアス		*fab (MHz)	Cob (pF)	rbb(Ω)* CCrbb' (pS)
										(μA)	VCB (V)	最小/標準/最大 min/typ/max	VCE (V)	IC (mA)	VCB (V)	IE (mA)
2SB48	SONY	AF.PA	Ge.A	-16	-16		-100	140	65	-16	-16	/43/	-1	-20	-6	1	2.5	25		84A
2SB49	SONY	AF.PA	Ge.A	-16	-16		-100	140	65	-16	-16	/83/	-1	-20	-6	1	3.0	25		84A
2SB50	SONY	AF.PA	Ge.A	-16	-16		-100	140	65	-16	-16	/131/	-1	-20	-6	1	3.5	25		84A
2SB51	SONY	PA	Ge.A	-30	-20	-3	-200	200	85	-16	-25	/43/	-1	-20	-6	1	2.0	25		84A
2SB52	SONY	PA	Ge.A	-30	-20	-3	-200	200	85	-16	-25	/83/	-1	-20	-6	1	3.0	25		84A

2SB77A 　日立製作所
						低周波用の標準的トランジスタでした。標準の2SB77、通信工業用の2SB77、2SB77Aなどのバリエーションがありました。 ほとんど知られていませんが、三洋電機製や松下電子工業製の2SB77があります。これは、NHKが放送機器用に採用するものを選び、規格としていたので、オリジナル以外のメーカーがセカンドソースを作っていたものです。1960年代が最盛期でした。
型名 Type				社名 Mnf.	用途 Application	構造 Material and structure	最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)						電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)										外形 Package No.
							VCBO (V)	VCEO (V)	VEBO (V)	IC (mA)	PC (mW)	Tj (ﾟC)	ICBX最大値		直流又はパルスhFE			バイアス		*fab (MHz)	Cob (pF)	rbb(Ω)* CCrbb' (pS)
													(μA)	VCB (V)	最小/標準/最大 min/typ/max	VCE (V)	IC (mA)	VCB (V)	IE (mA)
2SB77 2SB77 2SB77				日立	AF.PA.	Ge.A	-25	-25	-12	-100	150	85	/ /-14 (VEB=-6)	-25	/65/ /85/ /110/	-1.5	-50	-6	1	/2/			12A
2SB77				日立	AF.PA.SW	Ge.A	-30	-30	-12	-100	150	85	/-6/-10 (VEB=-6)	-30	60/85/110	-1.0	-50	-6	1	/1.5/			12A
2SB77				三洋	AF.PA.	Ge.A	-30	-30	-12	-100	150	85	/ /-10 (ICBO)	-30	60/ /100	-1.0	-50	-6	1	/1/			12A
2SB77				松下	AF.PA.SW	Ge.A	-30	-30	-12	-100	150	85	/ /-10	-30	60/ /100	-1.0	-50	-6	1	/1/			12A
2SB77A 2SB77A 2SB77A				日立	AF.PA.	Ge.A	-45	-45	-12	-100	150	85	/ /-25 (VEB=-6)	-45	/65/ /85/ /110/	-1.5	-50	-6	1	/2/			12A
2SB77A				日立	AF.PA.	Ge.A	-45	-45	-12	-100	150	85	/-6/-10 (ICBO)	-30	60/85/110	-1.0	-50	-6	1	/1.5/			12A
2SB77A				松下	AF.PA.SW	Ge.A	-60	-60 VCER RBE=5kΩ	-12	-100	150	85	/ /-10	-30	60/ /100	-1.0	-50	-6	1	/1/			12A

2SB100 　日本電気

工業用・通信用低雑音用途でした。主として放送機器での使用を想定したもののようです。NFは1kHz、Rg=500Ωで最大5dBとのことです。外形の割にコレクタ損失が小さく、ベースはケースに接続されています。 　この頃のNEC製トランジスタは黒色塗装されています。画像右端の赤ペイントはコレクタマークです。なお、このトランジスタは1960年製です。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICEO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fab (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IE (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB100

NEC

AF.LN.

Ge.A

-30

-10

-50

100

75

-10

-30

/60/

-6

1.0

-6

1.0

*1.2

35

84A

2SB144 　SONY

旧形式は2T303でした。それを hFEの大きくなる順に2SB142、2SB143、2SB144としたものです。さらに、2SB143のペアーを2SB145、2SB144のペアーを2SB146として命名していました。取付面に窪んだ穴があるのが特徴的です。チップからの放熱が悪くなるのではと思います。なぜこのような窪んだ穴があるかを説明します。このトランジスタは白黒テレビのブラウン管垂直偏向出力用やオーディオ用として開発されましたが、ゲルマニウムのため、温度特性が悪くコレクタ電流が変化してテレビ画像がひずんでしまいます。そこで、半導体チップ部分の温度をできるだけ精度よく検出し、補正するため、このような窪みを設け、そこにサーミスタを実装することにしたそうです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB144

SONY

AF.PA.

Ge.A

-30

-12

-1A

10W

85

-1mA

-30

75

-1.5

-1A

*7kHz

TO-3

2SB232 　松下電器産業　SONY

SONYの白黒TVから外したものです。現物はSONYの表示ですが、SONY自身が発行した「補修用トランジスタハンドブック(1995)」及び松下電器産業の「ナショナル半導体ハンドブック(1967)」では松下電器産業となっているため、真のメーカーは、松下電器産業のようです。また、CQ出版のトランジスタ規格表でも松下電器産業となっています。1960年代前半はトランジスタの生産が不安定な時代であり、松下電器産業製を塗装してSONYに印字しなおしたものと思われます。 ドリフトタイプであり、VEBOは驚くほど低い値です。

型名

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Type

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB232

松下

AF.PA.

Ge.D

-130

-130

-0.5

-6A

54W

90

-220

-14

75

-1

-200

TO-3

2SB291 　東京芝浦電気

通信・工業用低周波増幅用トランジスタです。底面は厚く1.5mm程度あります。金メッキのケースでコレクタ損失が大きそうですが、外形の割にコレクタ損失は小さく150mWしかありません。2SB292のドライブ用として生産されていたようです。 　東芝がhFE種別を色点で表していた時代です。こののち、色点は抵抗値の定数を示すのと同じ赤、橙、黄、緑、青、紫を順に使うようになり、更に後にはこれらの色の英語頭文字、R、O、Y、GR、BL、VをhFE区分として標記するようになりました。 　CQ出版のトランジスタ規格表ではhFEの測定条件(赤文字部分)が誤っています。

型名

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Type

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB291　赤 2SB291　黄 2SB291　緑

東芝

AF.

Ge.Ａ

-30

-25

-12

-150

150

75

-10

-12

22/ /55 45/ /105 95/ /210

-6 -1

-1 -50

-6

1

1

35

180

2-8C 84A TO-5

2SB381 　SONY

SONYの低周波出力増幅用ゲルマニウムトランジスタです。白黒テレビやラジオの低周波出力段によく使われました。2SB373〜2SB383は、耐電圧とhFEにより区分されています。 ベース端子はケース接続となっており、NECの2SB218〜2SB227と同様です。

型名

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Type

最大定格 Maximum Ratings(Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fab (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB381

SONY

AF.PA

Ge.Ａ

-32

-30

-12

-300

270

85

-10

-32

/42/

-1

-20

-6

1

2.5

25

84A

2SB435 　東京芝浦電気

低周波電力増幅用です。2SD235とコンプリメンタリです。大量生産されました。 2SAや2SBのレジンモールドの色は青、緑が少なくないです。

型名

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Type

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB435 R 2SB435 O 2SB435 Y

東芝

AF.PA.

E.Mesa

-40

-40

-5

3A

1.5W 25W

150

-10

-30

40/ /80 70/ /140 120/ /240

-5

500

-5

500

/3/

/200/

268 TO-220AB SC-46,2-10

2SB459 　日立製作所

シリコントランジスタがつぎつぎと発表されていく時期のゲルマニウムトランジスタでした。 低周波低雑音増幅用で比較的hFEが高いです。

型名

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Type

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB459 2SB459 2SB459 2SB459

日立

AF.LN

Ge.A

-30

-18

-2.5

-50

120

100

-12

-20

/90/ /140/ /230/ /370/

-6

-1

12A

2SB514 2SB515　　三洋電機

ホームステレオ用で、2SD330、2SD331とコンプリメンタリです。2SB515や2SD331はリード線がフォーミングされており、コレクタリード線は短く切断されています。外形がTC-16やTC-16Aのトランジスタと取り付け互換性があるようになっています。このような例は2SC1060と2SC1061などにもみられます。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCES (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB514 C 2SB514 D 2SB514 E 2SB514 F

三洋

AF.PA.

Si.E

-50

-50

-5

-2A

1.75W 20W

150

-100

-20

40/ /80 60/ /120 100/ /200 160/ /320

-2

-1A

5

500

/8/

268 TO-220AB SC-46

2SB649A　　日立製作所

高耐圧のオーディオ用トランジスタです。終段用ドライバーとしてよく使用されていました。ICは、最大100mA程度までで使用するのが良いようです。 2SB649と2SB649Aは、それぞれ2SD669と2SD669Aのコンプリメンタリです。 このトランジスタは、大陸製の偽物が大量にあります。インターネット上で検索すると9割がたは偽物や互換品と思われるものがヒットします。 本物と偽物は下記のような外観の差があります。カッコ内は偽物の事例です。まず、レジンモールドの色は灰色(黒)で、上部左右と下部中央(以外)に浅い窪み(窪みの位置が異なったり、深い窪みや窪み内に刻印)があります。日立のマーク(立の字の縦の棒がない。立の字が非対称。)がきれいです。hFEのアルファベットが形式番号の次の行右端で丸囲み(丸囲みではない。または形式番号と同じ行。)。形式番号は横書き(縦書き)です。裏の金属部分が八角形(八角形でなかったり、一部が欠けている。)。真中のリード線の根元が少し太い(同じ太さ)。 左の画像は本物です。リード線をフォーミングしていますが、新品ではストレートです。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCEO (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IC (mA)

2SB649 2SB649 2SB649

日立

AF.PA.

Si.E

-180

-120

-5

-1.5A

1W 20W

150

-10

-180

60/ /120 100/ /200 160/ /320

-5

-150

-5

-150

/140/

27

160 TO-126

2SB649A 2SB649A

日立

AF.PA.

Si.E

-180

-160

-5

-1.5A

1W 20W

150

-10

-180

60/ /120 100/ /200

-5

-150

-5

-150

/140/

27

160 TO-126

2SB794 　日本電気　NEC

ＮECの低周波電力増幅、低速度スイッチング用の工業用ダーリントン接続トランジスタです。C-E間に逆方向の内蔵ダイオードを持っています。 2SD985とコンプリメンタリなのですが、耐電圧は劣ります。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB794 M 2SB794 L 2SB794 K

NEC

PA.SW

Si.E

-60

-60

-8

-1.5A

1W 10W

150

-10

-60

2000/ /5000 4000/ /10000 8000/ / 30000

-2

-1A

225

2SB1098 　日本電気　NEC

ＮECの低周波電力増幅、低速度スイッチング用の工業用ダーリントン接続トランジスタです。C-E間に逆方向の内蔵ダイオードを持っています。 モールドパッケージなので、絶縁することなく放熱器に直接取り付けが可能です。 小出力のオーディオアンプ用に購入しました。購入してから気が付いたのですが、hFEはコレクタ電流に大きく依存し、コレクタ電流が2.5A程度でhFEが最大となります。低ひずみは期待できそうにありません。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICBO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

*fae (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCB (V)

IE (mA)

2SB1098 M 2SB1098 L 2SB1098 K

NEC

AF　PA. SW

Si.E

-100

-100

-7

-5A

2W 20W

150

-1

-100

2000/ /5000 4000/ /10000 8000/ / 20000

-2

-2A

MP45 TO220

2SB1370 　ROHM

ROHMの低周波電力増幅用のトランジスタです。モールドパッケージなので、絶縁することなく放熱器に直接取り付けが可能です。 2SD2061とコンプリメンタリです。データシートに明示的には示されてはいませんが、ホームステレオ等にコンプリで使用されていました。

型名 Type

社名 Mnf.

用途 Application

構造 Material and structure

最大定格 Maximum Ratings (Ta=25ﾟC,Tc=25℃)

電気的特性 Electric Characteristics (Ta=25ﾟC)

外形 Package No.

VCBO (V)

VCER (V)

VEBO (V)

IC (mA)

PC (mW)

Tj (ﾟC)

ICEO最大値

直流又はパルスhFE

バイアス

fT (MHz)

Cob (pF)

rbb(Ω)* CCrbb' (pS)

(μA)

VCB (V)

最小/標準/最大 min/typ/max

VCE (V)

IC (mA)

VCE (V)

IE (mA)

2SB1370 D 2SB1370 E 2SB1370 F

ROHM

AF　PA.

Si.E

-60

-60

-5

-3A

2W 30W

150

-10

-60

60/ /120 100/ /200 160/ /320

-5

-0.5A

-5

0.5A

15

80

TO220FN

3　おわりに
　保有していたものの、廃棄してしまった半導体が多数あります。各形式1本ぐらいは残しておけば良かったと思う今日このごろです。

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